近日,廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所光電技術(shù)中心在激光晶體材料的制備上取得了重要進(jìn)展——利用電阻爐,成功生長(zhǎng)出了更大尺寸的Ce,Nd:YAG晶體,將晶體直徑從以往的40毫米提升到了60毫米左右,并且晶體在光學(xué)性能上表現(xiàn)均勻穩(wěn)定。
YAG晶體,特別是摻釹(Nd:YAG)和摻鈰釹(Ce,Nd:YAG)的這類晶體,可以被看作是許多激光設(shè)備的“心臟”。它們能夠產(chǎn)生高質(zhì)量、高功率的激光,廣泛應(yīng)用于光學(xué)通信、醫(yī)療設(shè)備、精密測(cè)量、機(jī)械加工、雷達(dá)等國(guó)家重點(diǎn)領(lǐng)域,與我們的日常生活和前沿科技也都息息相關(guān)。
在過(guò)去,高質(zhì)量的YAG晶體大多采用感應(yīng)爐法生長(zhǎng)。這種方法雖然能獲得光學(xué)性能優(yōu)異的晶體,但存在幾個(gè)顯著短板:需要使用昂貴的銥金坩堝,生長(zhǎng)一根晶體耗時(shí)超過(guò)30天,導(dǎo)致生產(chǎn)成本非常高。
相比之下,電阻爐法生長(zhǎng)晶體能將周期縮短至7天左右,且成本更低。然而,由于技術(shù)發(fā)展緩慢及外部技術(shù)封鎖,該工藝長(zhǎng)期存在一個(gè)瓶頸——生長(zhǎng)的晶體直徑大多停留在40毫米左右。尺寸小意味著每根晶體產(chǎn)出的可用部件少,材料利用率低,這在很大程度上制約了其產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。
面對(duì)這一挑戰(zhàn),光電技術(shù)中心的科研團(tuán)隊(duì)通過(guò)潛心鉆研,從原料配比、溫場(chǎng)結(jié)構(gòu)到生長(zhǎng)工藝進(jìn)行了全方位的優(yōu)化與創(chuàng)新,成功將電阻爐生長(zhǎng)的Ce,Nd:YAG晶體直徑提升至約60毫米,實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)該技術(shù)路線下晶體尺寸新的突破。
這項(xiàng)技術(shù)突破為高性能激光晶體的大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化提供了堅(jiān)實(shí)支撐,也為后續(xù)多功能摻雜晶體的研發(fā)奠定了工藝基礎(chǔ)。這一進(jìn)展不僅打破了長(zhǎng)期制約電阻爐法發(fā)展的尺寸瓶頸,更重新定義了晶體生長(zhǎng)效率與成本控制的平衡點(diǎn)。
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